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“M向蓝宝石衬底 单抛 双抛 LED衬底 蓝宝石晶片”参数说明
| 是否有现货： | 是 | 认证： | ISO |
| 加工定制： | 是 | 种类： | 化合物半导体 |
| 特性： | ISO | 用途： | 良好的衬底材料 |
| 型号： | HL2MSSP | 规格： | M向 |
| 商标： | HELIOSWAFER | 包装： | 多片盒 |
| 产量： | 1000 |
“M向蓝宝石衬底 单抛 双抛 LED衬底 蓝宝石晶片”详细介绍
蓝宝石为六方晶格结构，很多特性便是由其晶向决定的。通过外延晶膜生长，不同的晶向将呈现不同的晶格与目标材料匹配。
蓝宝石有一定的双折射特性，特殊的结晶轴被用于一些光学领域，比如极化基底：C型切面的蓝宝石基底被用于生长III-V与II-VI族沉积薄膜，比如氮化镓，可以产出蓝色的LED产品、激光二极管以及红外线探测仪的应用。
A型基底产生统一的电容率/介质，并且高度绝缘被应用于混合微电子技术中。高温的超导体可由A型基底长晶产生。
R型基底生长的不同沉积的硅料外延长晶，被应用于微电子集成电路。蓝宝石由于其高电容率的特性，是混合基底的最佳选择，例如在微波集成电路中的应用。此外，在对外延硅生长制膜的过程中，还可以形成高速的集成电路和压力传感器。在制作砣、其它超导组件、高阻电阻器、砷化镓时亦可应用R型基底生长。
M、A、R型均可生长非极性或半极性的氮化镓。蓝宝石作为商业产品仍然需要大量的研究提高氮化镓磊晶的材料品质。
材料：>99.999%单晶蓝宝石Al2O3
晶向：M-axis<10>±0.1°
直径：50.8＋/-0.1m（2寸）
厚度：430＋/-25um
定位边：A-Plane±0.2°
定位边长度：16.0±1.0m
正面：Epi-Polished，Ra≤0.2nm
反面：Epi-Polished，Ra≤0.2nm（双抛）FinegroundRa＝0.8-1.2um（单抛）
TTV：<10umBOW：<10umWarp：<10um
包装：百级无尘室包装，双层白色塑料袋真空冲氮多片盒/单片盒装
蓝宝石有一定的双折射特性，特殊的结晶轴被用于一些光学领域，比如极化基底：C型切面的蓝宝石基底被用于生长III-V与II-VI族沉积薄膜，比如氮化镓，可以产出蓝色的LED产品、激光二极管以及红外线探测仪的应用。
A型基底产生统一的电容率/介质，并且高度绝缘被应用于混合微电子技术中。高温的超导体可由A型基底长晶产生。
R型基底生长的不同沉积的硅料外延长晶，被应用于微电子集成电路。蓝宝石由于其高电容率的特性，是混合基底的最佳选择，例如在微波集成电路中的应用。此外，在对外延硅生长制膜的过程中，还可以形成高速的集成电路和压力传感器。在制作砣、其它超导组件、高阻电阻器、砷化镓时亦可应用R型基底生长。
M、A、R型均可生长非极性或半极性的氮化镓。蓝宝石作为商业产品仍然需要大量的研究提高氮化镓磊晶的材料品质。
材料：>99.999%单晶蓝宝石Al2O3
晶向：M-axis<10>±0.1°
直径：50.8＋/-0.1m（2寸）
厚度：430＋/-25um
定位边：A-Plane±0.2°
定位边长度：16.0±1.0m
正面：Epi-Polished，Ra≤0.2nm
反面：Epi-Polished，Ra≤0.2nm（双抛）FinegroundRa＝0.8-1.2um（单抛）
TTV：<10umBOW：<10umWarp：<10um
包装：百级无尘室包装，双层白色塑料袋真空冲氮多片盒/单片盒装